Elektronika z plastů |
Organické vodiče
Organické látky jsou svou povahou povětšinou izolátory. Nejdříve se po organických
vodičích začalo pátrat mezi polymerními sloučeninami, v jejichž
molekulárních řetězcích byly spatřovány dráhy, podél nichž by se za určitých
okolností mohlo uskutečňovat vedení elektrického proudu. Naděje byly vkládány
zejména v polymery, které mají uhlíkové atomy v řetězci střídavě
propojeny jednoduchými a dvojitými vazbami a které označujeme jako konjugované.
Nejjednoduší takovou látkou je polyen, který se označuje jako polyacetylen, protože
jej lze připravit polymerací acetylenu. Ten normálně vzniká ve formě tmavého
prášku nevalné vodivosti, jestliže se však dopuje příměsí jodu, vodivost se o
mnoho řádů zvýší a lze připravit kovově lesklé filmy s vodivostí
blížící se mědi.

Řetězec polyacetylénu
Následkem dopování dochází k vytvoření elektronových děr ve valenčním pásu (p-dopování) nebo k přenesení elektronů do vodivostního pásu (n-dopování). Dochází i ke změně charakteru vazeb podél polymerního řetězce, viz další obrázek.

P-dopovaný polyacetylenový řetězec má delokalizované kladné náboje a je dobrým
vodičem. Elektronová hustota je rozmazaná podél řetězce (znázorněno obláčkem),
rozdíly mezi jednoduchou a dvojnou vazbou jsou potlačeny v blízkosti dopantu
Atomy dopující látky při tom nevstupují do chemické vazby s polymerem, ale v oblasti svého působení pouze přemístí nositele náboje. K tomu, aby se dopovaných polymerů mohlo používat místo kovových vodičů v mikroelektronice, musí tyto látky vyhovovat i po stránce pevnosti, chemické stálosti a techniky nanášení vrstev. Z tohoto hlediska nadějnější než polyacetylen se jeví polypyrol nebo polythiofen. Byla popsána elektrochemická technika vytváření vrstev dopovaného polythiofenu, které mají vodivost 49 siemens/cm2 a pevnost v tahu srovnatelnou s hliníkem.
Tranzistor z polymerů
Složitější je sestavení celoplastového tranzistoru, protože zde je zapotřebí
látek s různými elektrickými vlastnostmi. Jako příklad uvedeme FET-tranzistor,
který se podařilo sestavit v Laboratoři molekulárních materiálů ve
francouzském Thiais. Jako izolační vrstvičky bylo pužito 1,5 mikronu tlustého filmu
polyethylentereftalátu, který má dobré dielektrické vlastnosti. Kontakty emitoru byly
realizovány pomocí vodivého polymerního laku. Kritickou byla volba materiálu pro
vlastní polovodivou vrstvičku, u níž se vyžaduje vysoká pohyblivost nositelů
náboje (vlivem pole). Zde bylo použito di(hexyl)sexithiofenu, jehož velmi tenká
vrstvička (40nm) byla napařena mezi kontakty emitoru a kolektoru. Rozměry takto
vyrobeného FETu byly pravda poněkud větší ve srovnání s těmi komerčně
vyráběnými, byla zde ale řada unikátních vlastností. Tranzistor byl sestaven
s využitím v podstatě tiskařské techniky a nebyl poškozen ani při
kroucení základové fólie. Tato vlastnost najde uplatnění např. u “chytrých”
plastových bankovních karet.

Plastový tranzistor snese i mechanické namáhání
Podle Scientific American, Febr. 1988,
Doc. RNDr. Čestmír Jech, Csc.